Puschkarski 2024
13. M. Dieser Text enthält Erwähnungen von Friedrich Rothaar, Rolf Puschkarsky sowie Jan Blume und der CDU, veröffentlicht von come-on.de30. Jan. 2024. Sie und Rolf Puschkarsky hoffen auf viele weitere Teilnehmer aus der Bevölkerung, allen Parteien und Vereinen. „Wir stehen auf und wehren uns gegen rechte Hetze, gegen Hass. 1. M. Seit einigen Jahren befasst sich ein Großteil der MOSFET-Zuverlässigkeitspublikationen mit N-BTI. Der Abbau- und Wiederherstellungsmechanismus ist immer noch nicht vollständig. 5. Vorspannungstemperaturinstabilität BTI in SiC-MOSFETs ist Gegenstand umfangreicher akademischer und industrieller Forschung. Die Verschiebung der Schwellenspannung VTH aufgrund von Gate-Spannungsstress wurde am 1. November 2020 nachgewiesen. Dies ist eine der typischsten Zielkonfigurationen von SiC-MOSFETs. Das System ist für die Durchführung von Tests über einen langen Zeitraum ausgelegt, beispielsweise unter gut kontrollierten und flexiblen Betriebsbedingungen. Darüber hinaus ermöglicht das Testsystem die Überwachung leistungsrelevanter Parameter einzelner Geräte zu beliebigen Belastungszeiten.